| 型号：BSS119E6327 | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| 系列 | SIPMOS® |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 170mA |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 6 欧姆 @ 170mA，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2.3V @ 50µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 2.5nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 78pF @ 25V |
| 功率_最大 | 360mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | PG-SOT23-3 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
| 深圳市鹏顺兴科技有限公司 | 谭小姐0755-23063133/83238712 |
| 深圳信泰电子器材有限公司 | 廖先生0755-83242658 |
| 深圳市华胜英科技有限公司 | 郭13711580601 |
| 深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
| 深圳市鑫远鹏科技有限公司 | 谌小姐15112667855 |
| 深圳市捷富芯科技有限公司 | 林生13686489274 |
| 深圳市科思奇电子科技有限公司 | 林小姐/朱先生0755-83245050/82785939 |
| 深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
BSS119E6327相关型号
- B41231B4229M
电容器
EPCOS Inc
22000UF 16V 25.4X40 SNAP IN
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陶瓷
Kemet
1206（3216 公制）
CAP CER 0.47UF 50V 20% X7R 1206
- 60742-1
端子 - 快速连接，快速断连
TE Connectivity
1206（3216 公制）
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47000UF 16V 35X40 SNAP IN
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陶瓷
Kemet
1206（3216 公制）
CAP CER 0.47UF 16V Y5V 1206
- 6-1393817-4
信号，高达 2 A
TE Connectivity
1206（3216 公制）
RELAY GEN PURPOSE 4PDT 2A 48V
- 60755-1
端子 - 快速连接，快速断连
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1206（3216 公制）
CONN REC FLG FAST 16-20 AWG .187
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固定式
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- BSS119 E6433
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- 61500085172
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CUT & POLISH ROLL 5-1/4X30’A MED
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Honeywell Sensing and Control
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FET - 单
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- B82432C1122K
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- C1206C475K3PACTU
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1206（3216 公制）
CAP CER 4.7UF 25V 10% X5R 1206
- 60766-1
端子 - 套管，锥形
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1206（3216 公制）
CONN PIN 14-18 AWG SHUR-PLUG
- 614
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1206（3216 公制）
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- B41231B6828M
电容器
EPCOS Inc
8200UF 50V 30X40 SNAP IN
- C1206C475K3PACTU
陶瓷
Kemet
1206（3216 公制）
CAP CER 4.7UF 25V 10% X5R 1206
- AVS476M50X16B-F
电容器
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
径向，Can - SMD
CAP ALUM 47UF 50V 20% SMD
- 60770-2
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径向，Can - SMD
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